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少子壽命測(cè)試儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/ 型號(hào):KDK-LT-1

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載子壽命測(cè)量,除需要有個(gè)測(cè)量平面外,對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求,可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

產(chǎn)品型號(hào):KDK-LT-1
更新時(shí)間:2023-02-21
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:503

產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

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頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/ 型號(hào):KDK-LT-1

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載子壽命測(cè)量,除需要有個(gè)測(cè)量平面外,對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求,可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

2、少子壽命測(cè)試儀 設(shè)備組成

2.1、光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關(guān)斷時(shí)間<0.2-1μs

紅外光源波長(zhǎng):1.06~1.09μm(測(cè)量硅單晶)   脈沖電:5A~20A

如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.2、頻源

頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出率>1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應(yīng):2Hz~2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。

3、測(cè)量范圍

KDK-LT-1可測(cè)硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測(cè)量范圍:5~6000μs


重復(fù)頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關(guān)斷時(shí)間<0.2-1μs

紅外光源波長(zhǎng):1.06~1.09μm(測(cè)量硅單晶)   脈沖電:5A~20A

如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.2、頻源

頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出率>1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應(yīng):2Hz~2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。

3、測(cè)量范圍

KDK-LT-1可測(cè)硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測(cè)量范圍:5~6000μs





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